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台積電發狠 今年就試產16nm
曾經有客戶希望台積電的工藝更新換代步伐能夠放緩一些，但無論從技術還是從商業角度講，台積電顯然都不可能這麼做，甚至還要加快速度，已經決定將16nm FinFET工藝的試產時間從2014年提前到2013年底，並且希望能在2015年底用極紫外光刻技術製造10nm的芯片。
台積電此舉顯然是為了應付GlobalFoundries、三星電子的激烈競爭，這兩家代工廠都已經宣布很快就會上馬FinFET立體晶體管技術。
台積電原計劃在2014年底到2015年初量產16nm，現在看起來明年年中就有可能提前實現，但具體還要取決於試產的良品率成果。
台積電首席技術官孫元成(Jack Sun)表示：“我們對16nm FinFET工藝在明年的黃金時代(量產)充滿信心。”
他還披露，16nm目前正在使用128Mb SRAM進行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內存單元等基礎性IP都已經做好了準備，但是關鍵內部模塊的測試要到6月份才會開始。
有趣的是，就在不久前，Imagination剛剛宣布和台積電達成進一步的戰略合作夥伴關係，PowerVR 6係列移動GPU未來會使用台積電的16nm FinFET工藝生產，而幾乎同時，ARM和台積電也聯合宣布，64-bit ARMv8架構的Cortex-A57芯片已經成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是台積電的16nm FinFET。這顯然給了台積電十足的動力去提速。
台積電估計，64-bit ARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm 32-bit ARM A9高出多達90％，而相比之下20nm A15核心隻能提速大約40％。
FinFET立體晶體管
不過在16nm之前，台積電還有一站20nm，量產也得等到明年，那麼兩代新工藝安排得如此靠近，台積電是如何定位的？
有業內人士認為，台積電其實把20nm當成了一個過渡，它也不會給芯片廠商帶來太多優勢。當然，台積電可不這麼想，至少不會這麼說。孫元成聲稱，等到2017年的時候，台積電20nm芯片的產量就會追上28nm。
他聲稱，台積電20nm可比28nm性能提升20％，或者功耗降低30％，柵極密度也將增加大約1.9倍，GlobalFoundries就隻能增加20％。
台積電預計能在今年完成大約20個20nm芯片設計的流片工作，其中5月份拿到20nm Cortex-A15芯片的樣品。
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最後更新：2017-04-03 18:51:53