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最新信息：72 層的閃存芯片或用於未來 iPhone

蘋果供應商海力士（SK Hynix）日前推出了基於三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。

自 2016 年 11 月以來，該供應商一直在製造 48 層 256Gb 3D NAND 芯片。他們之前的 36 層 128Gb 3D NAND 芯片於 2016 年 4 月推出。因為層數更多，利用現有的生產線，產能可以提升 30%，海力士將在今年下半年量產這些新的芯片.

iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 機型上的 NAND 閃存芯片來自東芝和海力士，其中一些 iPhone 7 采用了東芝的 48 層 3D BiCS NAND 芯片，這種芯片之前從未出現在其它商業產品中，而其它的 iPhone 7 型號則使用了海力士的閃存芯片。

而海力士日前推出的這款 72 層的閃存芯片適用於未來的 iPhone，不知道在 iPhone 8 上會不會用上這種新的技術呢？

最後更新：2017-08-19 20:02:14

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