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微星主板BIOS設置－高級芯片組設置
微星主板BIOS設置－高級芯片組設置
上篇文章中我們分享了微星主板BIOS設置－高級BIOS特性設置，接下來我們繼續來看下微星主板BIOS設置－高級芯片組設置
DRAM Timing Setting... （設置內存... ） 按下回車<Enter> 鍵進入子菜單並出現以下的屏幕：
Configure SDRAM Timing by SPD （由SPD 設定內存時鍾）
此項決定SDRAM 的時鍾設置是否由讀取內存模組上的SPD （Serial PresenceDetect）EEPROM內容決定。設置為[Enabled]將根據SPD的設置由BIOS自動決定配置；設為[Disabled]允許用戶手動配置這些項目。
CAS# Latency （CAS 延遲） 此項控製了CAS延遲（在時鍾周期內），決定了SDRAM接受並開始讀取指令 後的延遲時間。設定值有：[2 Clocks], [2.5 Clocks]。[2 Clocks]是增加係統 性能，而[2.5 Clocks]是增加係統的穩定性。
RAS# Precharge （RAS 預充電）
此項用來控製RAS（Row Address Strobe）預充電過程的時鍾周 期數。如果在DRAM刷新前沒有足夠時間給RAS積累電量，刷新過程可能無法完成而且DRAM將不能保持數據。此項僅在係統中安裝了同步DRAM才有效。設定值
有：[2 Clocks], [3 Clocks], [4 Clocks]。
RAS# to CAS# Delay （RAS 至CAS 的延遲）
此項允許您設定在向DRAM 寫入/ 讀出/ 刷新時，從CAS （columnaddressstrobe）脈衝信號到RAS（row address strobe）脈衝信號之間延遲的時鍾周期數。更快的速度可以增進係統的性能表現，而相對較慢的速度可以提供更穩定的係統表現。此項僅在係統中安裝有同步DRAM才有效。
設定值有： [2Clocks], [3 Clocks], [4 Clocks]。
Precharge Delay （預充電延遲）
此項用來控製DRAM 從激活狀態進行預充電的時鍾周期數。設定值有：[5
Clocks], [6 Clocks], [7 Clocks], [8 Clocks]。
Burst Length （“爆發”長度）
此項允許您設置DRAM的“爆發長度大小。“爆發”是DRAM自身的一項預 測技術，它可以預測上一次內存地址訪問後，下一次所要訪問的內存地址。 為了使用這個功能，您必須設定“爆發長度”。它是實際的爆發長度加上開 始地址，並允許內部地址計數器正確地產生下一個要訪問的內存地址。長度 越長，DRAM速度越快。設定值有：[4], [8]。
AGP Aperture Size (MB) （AGP 口徑尺寸， MB ）
此項控製係統RAM中的多少空間可以分配給AGP作為視頻顯示用。口徑是指作為圖形記憶地址空間的一部分PCI存儲地址範圍。進入口徑範圍內的主時鍾周期會不經過翻譯直接傳遞給AGP。設定值有：[4MB], [8MB], [16MB], [32MB], [64MB], [128MB] 和[256 MB]。
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最後更新：2017-04-08 11:48:48