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不損害2D層狀BP材料電學性能的創新技術：單能離子能量Ar+離子束減薄工藝
Black phosphorus（BP，黑磷）是納米電子器件應用中最受關注的2D（二維）層狀材料之一，其獨特的性質包括，根據其層數而變化的頻帶隙能量，隨著層數的減少，變化範圍可從0.3eV（塊體）到2.0eV（單層）。通常，包括BP在內的2D層狀材料在合成方麵，由於時間、溫度等工藝因素，都具有一定的局限性，BP在空氣中極不穩定，因此，其從塊體材料到2D層狀材料的加工，需要采用一定的減薄技術來控製減薄的厚度。
據麥姆斯谘詢報道，韓國成均館大學（Sungkyunkwan University）先進材料科學與工程學院的Jin Woo Park等研究人員，采用了一種控製Ar+（氬離子）離子束方案，進行了BP層控製減薄研究。通過采用45–48 eV的近乎單能離子能量的Ar+離子束，BP可以以約0.55nm/min的速度減薄至雙層BP，並且不會引起表麵粗糙，或改變表麵的化學鍵狀態。同時，Ar+離子束還能去除原料BP上的BP氧化物。利用減薄的雙層~10層BP製造的2D BP場效應晶體管（FET），展現出了與那些原始BP場效應晶體管相似的電學性能。實驗結果表明單能離子能量的Ar+離子束減薄工藝，並未損害2D層狀BP材料的電學性能。
該研究成果發表於2017年10月16日刊登的《Journal of Materials Chemistry C》。
北京埃德萬斯離子束研究所股份有限公司自主研發的Advanced LKJ係列離子束刻蝕係統，為通用離子束刻蝕係統，除了可進行傳統微納結構刻蝕外，還可實現離子束清洗、材料表麵拋光和材料減薄等功能，還可實現化學輔助離子束刻蝕（CAIBE）與反應離子束刻蝕（RIBE）。來源：https://sensor.ofweek.com/CATList-81000-8300-sensor.html
最後更新：2017-10-18 16:03:32