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嵌入式存儲STT-MRAM取代NOR Flash大勢所趨
據國外媒體報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、台積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供嵌入式存儲器ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場的巨大轉變，因為到目前為止，隻有Everspin已經為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write Cache)等。全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術的遊戲規則。
STT-MRAM的下一個大好機會就是嵌入式存儲器IP市場，NOR Flash是傳統嵌入式存儲器，隨著製程從40nm進展到28nm，NOR Flash已經出現各種各樣的問題，因此，這些代工廠的支持可以將STT-MRAM轉變為先進節點的替代技術。
正如GlobalFoundries嵌入式存儲器副總裁Dave Eggleston所說，嵌入式快閃存儲器將繼續作為資料保存技術主流，特別是汽車和安全應用領域，嵌入式快閃存儲器將會有很長的使用壽命，但沒有擴展空間，當達到28nm製程以上時，嵌入式快閃存儲器實際上會成為昂貴的選擇。
STT-MRAM恰好為2xnm及以上的嵌入式存儲器應用做好準備。先作為補充技術，進一步替代嵌入式DRAM和SRAM，也是MRAM的巨大機會，將為處理器添加持久性功能。
STT-MRAM是一種相對較新的技術，客戶可能需要花點時間整合，各種製造上的挑戰也必須解決, 不是所有晶圓代工客戶都需要22nm以上的芯片. MRAM可能會因為幾個因素，成為一個大市場或利基解決方案，包括多個供應商和一係列的應用推動STT-MRAM發展，此外，主要代工廠投入STT-MRAM也可能會推動規模經濟化，降低技術成本。4大代工廠都決定為嵌入式客戶投入開發作業，三星有自己的IP，其他代工廠正在與各種合作夥伴合作。英特爾(Intel)、美光(Micron)和東芝與SK海力士都投入MRAM研發，同時，幾家新創公司如Avalanche、Crocus、Spin Transfer Technologies都正在開發。對大多數企業而言，生產MRAM說起來比做容易，因為MRAM涉及開發新材料、集成方案和設備，與傳統存儲器相比，生產流程也不同。
在晶圓廠的進展中，STT-MRAM目前有2個用例，第一個是替換嵌入式快閃存儲器，另一個是嵌入式SRAM，業界一致認為，STT-MRAM是一個很好的嵌入式解決方案。多年來，業界一直在探索STT-MRAM的發展，同時也專注準備MRAM研發，包括SOT-MRAM磁存儲器, 作為基於SRAM技術的緩存替代品,但最終目標是取代DRAM，現在還在努力探索中。
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最後更新：2017-08-28 11:32:33